SISS04DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Référence fabricant

SISS04DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SISS04DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SISS04DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISS04DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50.5A (Ta), 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V

Vgs (Max) : +16V, -12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4460pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8S

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8S

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISS0 , SISS04D

Documents pour SISS04DN-T1-GE3

Feuilles de données : SISS04DN-T1-GE3.pdf

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