TK16A60W,S4X - MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV

Référence fabricant

TK16A60W,S4X

Numéro de pièce interne

ABC-TK16A60W,S4X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

275058 Pieces

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Spécifications pour TK16A60W,S4X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK16A60W,S4X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV

Séries : DTMOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 790µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 300V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 40W (Tc)

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK16 , TK16A6

Documents pour TK16A60W,S4X

Feuilles de données : TK16A60W,S4X.pdf

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