RN1909FE(TE85L,F) - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Référence fabricant

RN1909FE(TE85L,F)

Numéro de pièce interne

ABC-RN1909FE(TE85L,F)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour RN1909FE(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RN1909FE(TE85L,F)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V

Résistance - Base (R1) : 47 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 22 kOhms

Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100nA (ICBO)

Fréquence - Transition : 250MHz

Puissance - Max : 100mW

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666

Package d'appareils du fournisseur : ES6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RN190 , RN1909FE

Documents pour RN1909FE(TE85L,F)

Feuilles de données : RN1909FE(TE85L,F).pdf

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