IPD60R210CFD7ATMA1 - LOW POWERNEW

Référence fabricant

IPD60R210CFD7ATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPD60R210CFD7ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

LOW POWERNEW

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

546259 Pieces

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Spécifications pour IPD60R210CFD7ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD60R210CFD7ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : LOW POWERNEW

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : -

La technologie : -

Drain à la tension source (Vdss) : -

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Paquet / caisse : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD60R , IPD60R210

Documents pour IPD60R210CFD7ATMA1

Feuilles de données : IPD60R210CFD7ATMA1.pdf

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