MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT - IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Référence fabricant

MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Numéro de pièce interne

ABC-MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de mémoire : Non-Volatile

Format de mémoire : FLASH, RAM

La technologie : FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Taille mémoire : 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

Fréquence d'horloge : 166MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 130-VFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 130-VFBGA (8x9)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT29C1G1 , MT29C1G12MAA

Documents pour MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Feuilles de données : MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT.pdf

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