GPAS1003 MNG - DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Référence fabricant

GPAS1003 MNG

Numéro de pièce interne

ABC-GPAS1003 MNG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

2508226 Pieces

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Spécifications pour GPAS1003 MNG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GPAS1003 MNG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 10A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB (D²PAK)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GPAS , GPAS10

Documents pour GPAS1003 MNG

Feuilles de données : GPAS1003 MNG.pdf

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