NTLJF3118NTBG - MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Référence fabricant

NTLJF3118NTBG

Numéro de pièce interne

ABC-NTLJF3118NTBG

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTLJF3118NTBG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTLJF3118NTBG

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.6A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 271pF @ 10V

Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-WDFN (2x2)

Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTLJ , NTLJF3

Documents pour NTLJF3118NTBG

Feuilles de données : NTLJF3118NTBG.pdf

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