BSC028N06NSTATMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

Référence fabricant

BSC028N06NSTATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-BSC028N06NSTATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

DIFFERENTIATED MOSFETS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

666456 Pieces

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Spécifications pour BSC028N06NSTATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSC028N06NSTATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : DIFFERENTIATED MOSFETS

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 24A (Ta), 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 50µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3375pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3W (Ta), 100W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSC02 , BSC028N0

Documents pour BSC028N06NSTATMA1

Feuilles de données : BSC028N06NSTATMA1.pdf

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