1SS193,LF - DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Référence fabricant

1SS193,LF

Numéro de pièce interne

ABC-1SS193,LF

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

17789394 Pieces

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Spécifications pour 1SS193,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1SS193,LF

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 100mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 4ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 80V

Capacité @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareils du fournisseur : S-Mini

Température de fonctionnement - Jonction : 125°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1SS , 1SS1

Documents pour 1SS193,LF

Feuilles de données : 1SS193,LF.pdf

Produits associés pour 1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
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