SPN02N60C3 - MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

Référence fabricant

SPN02N60C3

Numéro de pièce interne

ABC-SPN02N60C3

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SPN02N60C3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SPN02N60C3

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 400mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 80µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223-4

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SPN , SPN02

Documents pour SPN02N60C3

Feuilles de données : SPN02N60C3.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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