SQ4282EY-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

Référence fabricant

SQ4282EY-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQ4282EY-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SQ4282EY-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQ4282EY-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2367pF @ 15V

Puissance - Max : 3.9W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQ428 , SQ4282E

Documents pour SQ4282EY-T1_GE3

Feuilles de données : SQ4282EY-T1_GE3.pdf

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