NVMFD5877NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

Référence fabricant

NVMFD5877NLT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NVMFD5877NLT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NVMFD5877NLT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NVMFD5877NLT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V

Puissance - Max : 3.2W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NVMF , NVMFD58

Documents pour NVMFD5877NLT1G

Feuilles de données : NVMFD5877NLT1G.pdf

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