HTMN5130SSD-13 - MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Référence fabricant

HTMN5130SSD-13

Numéro de pièce interne

ABC-HTMN5130SSD-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour HTMN5130SSD-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : HTMN5130SSD-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 218.7pF @ 25V

Puissance - Max : 1.7W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : HTMN , HTMN513

Documents pour HTMN5130SSD-13

Feuilles de données : HTMN5130SSD-13.pdf

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