A2T18S261W12NR3 - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Référence fabricant

A2T18S261W12NR3

Numéro de pièce interne

ABC-A2T18S261W12NR3

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

44192 Pieces

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Spécifications pour A2T18S261W12NR3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : A2T18S261W12NR3

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : LDMOS

La fréquence : 1.805GHz ~ 1.88GHz

Gain : 18.2dB

Tension - Test : 28V

Note actuelle : 10µA

Figure de bruit : -

Courant - Test : 1.5A

Puissance - sortie : 280W

Tension - nominale : 65V

Paquet / caisse : OM-880X-2L2L

Package d'appareils du fournisseur : OM-880X-2L2L

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : A2T18 , A2T18S2

Documents pour A2T18S261W12NR3

Feuilles de données : A2T18S261W12NR3.pdf

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