APTM120U10DAG - MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Référence fabricant

APTM120U10DAG

Numéro de pièce interne

ABC-APTM120U10DAG

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

77337 Pieces

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Spécifications pour APTM120U10DAG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTM120U10DAG

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 160A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 20mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 28900pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3290W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SP6

Paquet / caisse : SP6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTM , APTM12

Documents pour APTM120U10DAG

Feuilles de données : APTM120U10DAG.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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