SIS890DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Référence fabricant

SIS890DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIS890DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SIS890DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIS890DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 802pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIS89 , SIS890D

Documents pour SIS890DN-T1-GE3

Feuilles de données : SIS890DN-T1-GE3.pdf

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