NDS8852H - MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Référence fabricant

NDS8852H

Numéro de pièce interne

ABC-NDS8852H

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour NDS8852H

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NDS8852H

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.3A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 15V

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ND , NDS8

Documents pour NDS8852H

Feuilles de données : NDS8852H.pdf

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