PMDPB38UNE,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Référence fabricant

PMDPB38UNE,115

Numéro de pièce interne

ABC-PMDPB38UNE,115

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

52702 Pieces

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Spécifications pour PMDPB38UNE,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMDPB38UNE,115

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 268pF @ 10V

Puissance - Max : 510mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : DFN2020-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMDP , PMDPB38

Documents pour PMDPB38UNE,115

Feuilles de données : PMDPB38UNE,115.pdf

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