RQ1C075UNTR - MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Référence fabricant

RQ1C075UNTR

Numéro de pièce interne

ABC-RQ1C075UNTR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RQ1C075UNTR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RQ1C075UNTR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TSMT8

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RQ1 , RQ1C0

Documents pour RQ1C075UNTR

Feuilles de données : RQ1C075UNTR.pdf

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