IXFH6N100F - MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Référence fabricant

IXFH6N100F

Numéro de pièce interne

ABC-IXFH6N100F

Fabricant

IXYS-RF

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IXFH6N100F

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFH6N100F

Fabricant : IXYS-RF

La description : MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Séries : HiPerRF™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1770pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 180W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247 (IXFH)

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFH6

Documents pour IXFH6N100F

Feuilles de données : IXFH6N100F.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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