IXFT18N90P - MOSFET N-CH 900V 18A TO268

Référence fabricant

IXFT18N90P

Numéro de pièce interne

ABC-IXFT18N90P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 900V 18A TO268

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXFT18N90P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFT18N90P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 900V 18A TO268

Séries : HiPerFET™, PolarP2™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 900V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 97nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5230pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 540W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-268

Paquet / caisse : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFT1

Documents pour IXFT18N90P

Feuilles de données : IXFT18N90P.pdf

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