8EWS08STR - DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

Référence fabricant

8EWS08STR

Numéro de pièce interne

ABC-8EWS08STR

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

59059 Pieces

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Spécifications pour 8EWS08STR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 8EWS08STR

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 800V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 8A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 50µA @ 800V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareils du fournisseur : D-PAK (TO-252AA)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 8EW , 8EWS

Documents pour 8EWS08STR

Feuilles de données : 8EWS08STR.pdf

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