STI11NM80 - MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Référence fabricant

STI11NM80

Numéro de pièce interne

ABC-STI11NM80

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

176152 Pieces

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Spécifications pour STI11NM80

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STI11NM80

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Séries : MDmesh™

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 43.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1630pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)

Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK (TO-262)

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STI , STI1

Documents pour STI11NM80

Feuilles de données : STI11NM80.pdf

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