W979H6KBVX2I TR - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Référence fabricant

W979H6KBVX2I TR

Numéro de pièce interne

ABC-W979H6KBVX2I TR

Fabricant

Winbond Electronics

Brève description

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

229112 Pieces

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Spécifications pour W979H6KBVX2I TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : W979H6KBVX2I TR

Fabricant : Winbond Electronics

La description : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2

Taille mémoire : 512Mb (32M x 16)

Fréquence d'horloge : 400MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : -

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 134-VFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 134-VFBGA (10x11.5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : W979H , W979H6K

Documents pour W979H6KBVX2I TR

Feuilles de données : W979H6KBVX2I TR.pdf

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