DMHC3025LSDQ-13 - MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

Référence fabricant

DMHC3025LSDQ-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMHC3025LSDQ-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1504930 Pieces

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Spécifications pour DMHC3025LSDQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMHC3025LSDQ-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 15V

Puissance - Max : 1.5W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMHC3 , DMHC302

Documents pour DMHC3025LSDQ-13

Feuilles de données : DMHC3025LSDQ-13.pdf

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