SI4565ADY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Référence fabricant

SI4565ADY-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI4565ADY-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SI4565ADY-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI4565ADY-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.6A, 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 625pF @ 20V

Puissance - Max : 3.1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI456 , SI4565AD

Documents pour SI4565ADY-T1-GE3

Feuilles de données : SI4565ADY-T1-GE3.pdf

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