DN3135N8-G - MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3

Référence fabricant

DN3135N8-G

Numéro de pièce interne

ABC-DN3135N8-G

Fabricant

Microchip Technology

Brève description

MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour DN3135N8-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DN3135N8-G

Fabricant : Microchip Technology

La description : MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 350V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 135mA (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 Ohm @ 150mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V

Caractéristique FET : Depletion Mode

Dissipation de puissance (max) : 1.3W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-243AA (SOT-89)

Paquet / caisse : TO-243AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DN3 , DN313

Documents pour DN3135N8-G

Feuilles de données : DN3135N8-G.pdf

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