FDR840P - MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Référence fabricant

FDR840P

Numéro de pièce interne

ABC-FDR840P

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

76347 Pieces

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Spécifications pour FDR840P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDR840P

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4481pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-8

Paquet / caisse : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDR

Documents pour FDR840P

Feuilles de données : FDR840P.pdf

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