STL18N60M2 - MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

Référence fabricant

STL18N60M2

Numéro de pièce interne

ABC-STL18N60M2

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

232104 Pieces

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Spécifications pour STL18N60M2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STL18N60M2

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

Séries : MDmesh™ II Plus

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 308 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 791pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 57W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerFlat™ (5x6) HV

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STL , STL18

Documents pour STL18N60M2

Feuilles de données : STL18N60M2.pdf

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