FDB8870-F085 - MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Référence fabricant

FDB8870-F085

Numéro de pièce interne

ABC-FDB8870-F085

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDB8870-F085

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDB8870-F085

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Séries : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta), 160A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 160W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDB8 , FDB887

Documents pour FDB8870-F085

Feuilles de données : FDB8870-F085.pdf

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