IRFIB7N50A - MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP

Référence fabricant

IRFIB7N50A

Numéro de pièce interne

ABC-IRFIB7N50A

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRFIB7N50A

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFIB7N50A

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 500V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1423pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 60W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRFIB

Documents pour IRFIB7N50A

Feuilles de données : IRFIB7N50A.pdf

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