RD3P200SNFRATL - RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F

Référence fabricant

RD3P200SNFRATL

Numéro de pièce interne

ABC-RD3P200SNFRATL

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour RD3P200SNFRATL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RD3P200SNFRATL

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 20W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RD3P , RD3P200

Documents pour RD3P200SNFRATL

Feuilles de données : RD3P200SNFRATL.pdf

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