SQJQ910EL-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Référence fabricant

SQJQ910EL-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQJQ910EL-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SQJQ910EL-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQJQ910EL-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2832pF @ 50V

Puissance - Max : 187W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® 8 x 8 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 8 x 8 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQJQ9 , SQJQ910E

Documents pour SQJQ910EL-T1_GE3

Feuilles de données : SQJQ910EL-T1_GE3.pdf

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