IDV30E65D2XKSA1 - DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2

Référence fabricant

IDV30E65D2XKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IDV30E65D2XKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

310254 Pieces

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Spécifications pour IDV30E65D2XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IDV30E65D2XKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 30A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2.2V @ 30A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 42ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 40µA @ 650V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-220-2 Full Pack

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-2 Full Pack

Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IDV30 , IDV30E6

Documents pour IDV30E65D2XKSA1

Feuilles de données : IDV30E65D2XKSA1.pdf

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