3N251-E4/51 - BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Référence fabricant

3N251-E4/51

Numéro de pièce interne

ABC-3N251-E4/51

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour 3N251-E4/51

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 3N251-E4/51

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Single Phase

La technologie : Standard

Tension - Inverse de crête (Max) : 800V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.5A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 1A

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 800V

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : 4-SIP, KBPM

Package d'appareils du fournisseur : KBPM

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 3N2 , 3N251

Documents pour 3N251-E4/51

Feuilles de données : 3N251-E4/51.pdf

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