SI4413DDY-T1-GE3 - MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Référence fabricant

SI4413DDY-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI4413DDY-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

635418 Pieces

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Spécifications pour SI4413DDY-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI4413DDY-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : -

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4780pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -55°C ~ 125°C

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI441 , SI4413DD

Documents pour SI4413DDY-T1-GE3

Feuilles de données : SI4413DDY-T1-GE3.pdf

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