EPC2103ENGRT - GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

Référence fabricant

EPC2103ENGRT

Numéro de pièce interne

ABC-EPC2103ENGRT

Fabricant

EPC

Brève description

GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

155696 Pieces

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Spécifications pour EPC2103ENGRT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EPC2103ENGRT

Fabricant : EPC

La description : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

Séries : eGaN®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 40V

Puissance - Max : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : Die

Package d'appareils du fournisseur : Die

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EPC2 , EPC210

Documents pour EPC2103ENGRT

Feuilles de données : EPC2103ENGRT.pdf

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