NP100P06PDG-E1-AY - MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Référence fabricant

NP100P06PDG-E1-AY

Numéro de pièce interne

ABC-NP100P06PDG-E1-AY

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour NP100P06PDG-E1-AY

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NP100P06PDG-E1-AY

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 200W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NP100 , NP100P06

Documents pour NP100P06PDG-E1-AY

Feuilles de données : NP100P06PDG-E1-AY.pdf

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