BSS119NH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Référence fabricant

BSS119NH6327XTSA1

Numéro de pièce interne

ABC-BSS119NH6327XTSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSS119NH6327XTSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSS119NH6327XTSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 190mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 13µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 20.9pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSS11 , BSS119NH

Documents pour BSS119NH6327XTSA1

Feuilles de données : BSS119NH6327XTSA1.pdf

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