RJK60S7DPK-M0#T0 - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Référence fabricant

RJK60S7DPK-M0#T0

Numéro de pièce interne

ABC-RJK60S7DPK-M0#T0

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour RJK60S7DPK-M0#T0

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RJK60S7DPK-M0#T0

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (Max) : +30V, -20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 25V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 227.2W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3PSG

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RJK60 , RJK60S7D

Documents pour RJK60S7DPK-M0#T0

Feuilles de données : RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

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