MT47H64M8JN-25E:G - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Référence fabricant

MT47H64M8JN-25E:G

Numéro de pièce interne

ABC-MT47H64M8JN-25E:G

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour MT47H64M8JN-25E:G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT47H64M8JN-25E:G

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR2

Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)

Fréquence d'horloge : 400MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 400ps

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 60-TFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (8x10)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT47H , MT47H64M

Documents pour MT47H64M8JN-25E:G

Feuilles de données : MT47H64M8JN-25E:G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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