STP10NM60N - MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Référence fabricant

STP10NM60N

Numéro de pièce interne

ABC-STP10NM60N

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

237496 Pieces

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Spécifications pour STP10NM60N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STP10NM60N

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Séries : MDmesh™ II

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 70W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STP , STP10

Documents pour STP10NM60N

Feuilles de données : STP10NM60N.pdf

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