VS-HFA06TB120SR-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Référence fabricant

VS-HFA06TB120SR-M3

Numéro de pièce interne

ABC-VS-HFA06TB120SR-M3

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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706216 Pieces

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Spécifications pour VS-HFA06TB120SR-M3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VS-HFA06TB120SR-M3

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Séries : HEXFRED®

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 6A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 3.9V @ 12A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 80ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 1200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB (D²PAK)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VS-HFA , VS-HFA06T

Documents pour VS-HFA06TB120SR-M3

Feuilles de données : VS-HFA06TB120SR-M3.pdf

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