TK39N60X,S1F - MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Référence fabricant

TK39N60X,S1F

Numéro de pièce interne

ABC-TK39N60X,S1F

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TK39N60X,S1F

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK39N60X,S1F

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Séries : DTMOSIV-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 38.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.9mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 270W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK39 , TK39N6

Documents pour TK39N60X,S1F

Feuilles de données : TK39N60X,S1F.pdf

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