BYV10ED-600PJ - DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK

Référence fabricant

BYV10ED-600PJ

Numéro de pièce interne

ABC-BYV10ED-600PJ

Fabricant

WeEn Semiconductors

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

48152 Pieces

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Spécifications pour BYV10ED-600PJ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BYV10ED-600PJ

Fabricant : WeEn Semiconductors

La description : DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2V @ 10A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BYV1 , BYV10E

Documents pour BYV10ED-600PJ

Feuilles de données : BYV10ED-600PJ.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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