QS8M12TCR - MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

Référence fabricant

QS8M12TCR

Numéro de pièce interne

ABC-QS8M12TCR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour QS8M12TCR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : QS8M12TCR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.4nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 10V

Puissance - Max : 1.5W

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Package d'appareils du fournisseur : TSMT8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : QS8 , QS8M

Documents pour QS8M12TCR

Feuilles de données : QS8M12TCR.pdf

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