1N1186R - DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

Référence fabricant

1N1186R

Numéro de pièce interne

ABC-1N1186R

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

94736 Pieces

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Spécifications pour 1N1186R

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1N1186R

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard, Reverse Polarity

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 35A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 35A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 50V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Chassis, Stud Mount

Paquet / caisse : DO-203AB, DO-5, Stud

Package d'appareils du fournisseur : DO-5

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 190°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1N , 1N1

Documents pour 1N1186R

Feuilles de données : 1N1186R.pdf

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