SI4464DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Référence fabricant

SI4464DY-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI4464DY-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI4464DY-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI4464DY-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI446 , SI4464D

Documents pour SI4464DY-T1-GE3

Feuilles de données : SI4464DY-T1-GE3.pdf

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