AS4C64M16D3B-12BIN - IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Référence fabricant

AS4C64M16D3B-12BIN

Numéro de pièce interne

ABC-AS4C64M16D3B-12BIN

Fabricant

Alliance Memory, Inc.

Brève description

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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188080 Pieces

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Spécifications pour AS4C64M16D3B-12BIN

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AS4C64M16D3B-12BIN

Fabricant : Alliance Memory, Inc.

La description : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR3

Taille mémoire : 1Gb (64M x 16)

Fréquence d'horloge : 800MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 20ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.425V ~ 1.575V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C (TC)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 96-TFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 96-FBGA (13x9)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AS4C64 , AS4C64M16

Documents pour AS4C64M16D3B-12BIN

Feuilles de données : AS4C64M16D3B-12BIN.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
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