TK31V60W5,LVQ - MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

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MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK31V60W5,LVQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK31V60W5,LVQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 240W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-DFN-EP (8x8)
Paquet / caisse : 4-VSFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK31 , TK31V6

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Feuilles de données : TK31V60W5,LVQ.pdf

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