TK31V60W5,LVQ - MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Référence fabricant

TK31V60W5,LVQ

Numéro de pièce interne

ABC-TK31V60W5,LVQ

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TK31V60W5,LVQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK31V60W5,LVQ

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Séries : DTMOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 109 mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 240W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 4-DFN-EP (8x8)

Paquet / caisse : 4-VSFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK31 , TK31V6

Documents pour TK31V60W5,LVQ

Feuilles de données : TK31V60W5,LVQ.pdf

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